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IRF7834詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7834PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7834TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7834TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7834TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7834TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 19A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

LP38502ASD-EV
評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 BOARD EVAL FOR LP38502ASD
LBA127S
固態(tài) IXYS Integrated Circuits Division 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTOMOS 200MA DP 8-SMD
L314F
SCR Crydom Co. 模塊 MODULE SCR/DIODE 15A 480VAC PCB
L0103DTRP4
三端雙向可控硅開關 Littelfuse Inc TO-261-4，TO-261AA TRIAC SEN 1A 400V SOT223 4K T/R
IRF7834TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
ECW-F4684JLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
K224K20X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
LP38502SD-ADJ/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO ADJ 1.5A 8-LLP
L31S500S05S
電流 Tamura 模塊，單通式 SENSOR CURRENT +/-500A +5V
L0103MERP
三端雙向可控硅開關 Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRIAC SENS 1A 600V TO92 T/R
ECW-F4753HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.075UF 400VDC RADIAL
LP38503ATJ-ADJ/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments TO-263-5 薄型 IC REG LDO ADJ 3A TO263-5
K224K20X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
L36SA12004NRFA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 11-DIP 模塊 MODULE DC/DC 1X1.6 12V 4A
L0103MERP
三端雙向可控硅開關 Littelfuse Inc TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRIAC SENS 1A 600V TO92 T/R

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