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IRF7901D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7901D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7901D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：38 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 16V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7902PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A，9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22.6 毫歐 @ 6.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.9nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 15V; 功率_最大：1.4W，2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

HCMS-3902
顯示器模塊 - LED 點(diǎn)陣和簇 Avago Technologies US Inc. HC49/US LED DISPLAY 5X7 4CHAR 3.8MM RED
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 150PF 2KV 20% RADIAL
IRF7901D1TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
IRF7322D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
HBC17DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE 70X80MM
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 56POS STRGHT W/SKT
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015N/H1504TR 8"
HBZ222KBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 2200PF 2KV 10% RADIAL
IRF7324D1TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
HBC17DRAN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
E39-RS3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE 70X80MM
DTS26F25-4SD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 56POS STRGHT W/SKT
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
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光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER ANALOG 8-SMD

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