IRF8910GPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 20V 10A SO-8
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF8910GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF8910GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF8910GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF8910PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF8910TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.4 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 單二極管/齊納 Comchip Technology 1206（3216 公制） DIODE ZENER 75V 500MW 1206
- PMIC - 熱交換 Intersil SC-74A，SOT-753 IC CTRLR HOT PLUG SOT23-5
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 25V 7.8A 8TSSOP
- 板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Samtec Inc 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） CONN INTERFACE ONE PC 1MM 60POS
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V .15A/.3A 10-DFN
- 二極管，整流器 Vishay Semiconductors D-67 半封裝 DIODE HEXFRED 600V 140A HALF-PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 12-VFDFN 裸露焊盤 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V .15A/.3A 10-DFN
- 單二極管/整流器 Vishay Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE HEXFRED 1200V 16A D2PAK
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 - 外殼 Samtec Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN HOUSING 6POS 2.54MM DUAL
18820154873 
0755-23914006 
