

IRF9530S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF9530SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF9530STRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9530STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9530STRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
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- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9530STRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC DGTL POT 1CH 100K 10MSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
- PMIC - 熱交換 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 邏輯 -計數(shù)器,除法器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC 14STAGE BINARY COUNTER 16SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向,管狀 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 115V
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC HEX INVERTER 14SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向,管狀 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 110V
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 16-UFQFN IC DGTL POT 256POS 100K 16UTQFN
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD