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IRF9540S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9540SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9540STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9540STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

KN500BA1/8
旋鈕 TE Connectivity 2820（7150 公制） SWITCH KNOB STRGHT 0.5"BLCK-NTRL
IMC1812EBR15M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150NH 20% 1812
IRF9540STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
IRG4PC20UPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT STD 250V 98A TO247AC
ECQ-E2275KF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2.7UF 250VDC RADIAL
KPSE08B12-3P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS CABLE RA PIN
J4C13
配件 C-TON Industries TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 CABLE ASSEMBLY 13PIN CONN 26AWG
KPT01B22-55PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS CBL MNT PIN
IMC1812ER100J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
ECQ-E2275KFA
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2.7UF 250VDC RADIAL
IRG4PC40UD-EPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AD
KPSE08B16-8P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS CABLE RA PIN
IMC1812ER100K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 10UH 10% 1812
KN60
配件 Apex Tool Group 2820（7150 公制） NUT KNURLED TIP WP25/30/35
KPT01B8-33PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS CBL MNT PIN

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