久久精品国产亚洲av四虎,免看黄大片aa

當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引46 » 型號(hào)"IRF9630STR"的供應(yīng)信息

IRF9630STR 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF9630STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9630STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9630STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9630STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9630STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ECW-F6274RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.27UF 630VDC RADIAL
L4010
固定式 Acme Electric/Amveco/Actown 徑向 IND CHOKE 10MH 40DCA 28.3ACA
IRF9630STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
LMC7221AIM5X/NOPB
線性 - 比較器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
ECS-3525-143-B-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 14.31818 MHZ 2.5V SMD
L-05B2N7SV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 2.7NH 0201
KT11P4SA3M33
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
L4018C2R2MDWDT
固定式 Kemet 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 2.2UH 20% 4018
ECW-F6304RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.3UF 630VDC RADIAL
ECS-3525-250-B-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 25.00 MHZ 2.5V SMD
LMC7221BIM5X
線性 - 比較器 Texas Instruments * IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
K331K15X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 500V X7R RADIAL
KT11P4SA3M35LFG
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
ECW-F6333HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 630VDC RADIAL
K271K10X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 100V X7R RADIAL