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IRF9Z24詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：570pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9Z24NL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9Z24NLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9Z24NPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9Z24NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z24NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

GRM1885C1H301JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 300PF 50V 5% NP0 0603
HIP6006CB-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CNTRLR PWM BUCK SYNC 14-SOIC
IRF9Z14
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
CX1033
適配器 Xeltek 4-SMD，無引線（DFN，LCC） SOCKET ADAPTER 28SOIC SUPERPRO5K
ISL9014AIRBJZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V/2.8V .3A 10-DFN
IPD60R2K0C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
IXTP1R4N60P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
FSLU2520-8R2JP2
固定式 Toko America Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 8.2UH 5% TYPE FSLU SMD
GRM1885C1H301JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 300PF 50V 5% NP0 0603
CX1033
適配器 Xeltek SOCKET ADAPTER 28SOIC SUPERPRO5K
ISL9014AIRBLZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V/2.9V .3A 10-DFN
IPD60R520C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
IXTP240N055T
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 240A TO-220
GRM1885C1H302JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 3000PF 50V 5% NP0 0603
FSLU2520-R10KP2
固定式 Toko America Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR .10UH FSLU TYPE 10% SMD

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