IRF9Z24NL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF9Z24NLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 7.2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Power-One 4-SIP 模塊 DIN RAIL 120W 24V
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 50V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 36.000MHZ SERIES SMD
- 陶瓷 United Chemi-Con 徑向 CAP CER 1.5UF 100V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 50V 20% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG LDO 5V .1A 8SOIC
- 評估板 - 運算放大器 Texas Instruments TO-99-8 金屬罐 BOARD EVALUATION LME49710HA
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 36.000MHZ SERIES SMD
- 陶瓷 United Chemi-Con 徑向 CAP CER 1.5UF 250V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 50V 20% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC REG LDO 5V .1A 8SOIC
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 36.000 MHZ SERIES SMD