IRF9Z34STR 全國供應商、價格、PDF資料
IRF9Z34STRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF9Z34STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF9Z34STRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9Z34STRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:140 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil * IC MUX/DEMUX 1 X 4:1 16QFN
- 存儲器 Ramtron 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引線) IC FIFO 4096X18 20NS 32PLCC
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 20QFN
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN
- 存儲器 Ramtron 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
- PMIC - 電池管理 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 24-QFN
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC(J 形引線) IC FIFO 4096X18 35NS 32PLCC
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 20QFN
- PMIC - 電池管理 Intersil 20-WFQFN 裸露焊盤 IC BATT CHRGR LIION 1CELL 20TQFN
- 存儲器 Ramtron 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC FRAM 64KBIT 1MHZ SRL 8SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB