IRFB11N50A詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:520 毫歐 @ 6.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1423pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRFB11N50APBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:520 毫歐 @ 6.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:52nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1423pF @ 25V
- 功率_最大:170W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
- 評估板 - 運算放大器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) BOARD EVALUATION FOR LME49722
- 晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 3.6864 MHZ 18PF 49UA
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 200V 5% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
- 陶瓷 United Chemi-Con 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1206
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.6864MHZ 20PF SMD
- 未定義的系列 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8SOIC
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 STMicroelectronics 20-DIP(0.300",7.62mm) IC REG BUCK ADJ 2A 20DIP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 200V 5% RADIAL
- 陶瓷 United Chemi-Con 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 25V 20% X7R 1206
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.56UF 630VDC RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤 IC AMP AUDIO STER AB HIFI 8MSOP
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.6864MHZ 20PF SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC REG BUCK 3.3V/ADJ 3.5A 20SOIC