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IRFBC40S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFBC40S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFBC40SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFBC40STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFBC40STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFBC40STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IKD15N60RF
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
IRFBC40A
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
CSFC305-G
單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AB，SMC DIODE SUPER FAST 3A 600V DO214AB
CRCW2512240KFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 240K OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-H5E471J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 470 OHM 4 RES 5-SSIP
IRFBC40LC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
CS-FM-MSC
同軸，RF Crystek Corporation SOD-123T RFCON 2.92(K)(SEMF HP190)STR PLG
IKN0404000
DIP APEM Components, LLC TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA DIP SWITCH
IRF7601TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
EXB-H5E474J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 470K OHM 4 RES 5-SSIP
CRCW2512240KFKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 240K OHM 1W 1% 2512 SMD
CSFMT108-HF
單二極管/整流器 Comchip Technology SOD-123H DIODE 600V 1A SOD-123H
IKP20N60T
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 40A 166W TO220-3
IRFBE20S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
IRF7603TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8