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IRFD010詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 860mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IRFD010PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 860mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IRFD014詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IRFD014PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：310pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IRFD020PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IRFD024詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP; 包裝：管件

IDT72235LB25JI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC（J 形引線） IC FIFO 2048X18 SYNC 25NS 68PLCC
ISL88002IH17Z-T7A
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 1.67V SOT23-3
IXFN82N60P
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
IRFD010PBF
FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP（0.300"，7.62mm） MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
IDT70825S20PF
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP
CV500-BSC31
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BASIC MOD RAM 2-232 1-PARALLEL
ISL95838HRTZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 40-WFQFN 裸露焊盤 IC PWM CTLR DUAL 3+2 40-TQFN
IXFP12N50P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
ISL88002IH23Z-T
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.32V SOT23-3
IXFP14N60P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
IDT72235LB25PF
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 2048X18 SYNC 25NS 68PLCC
ISL96017UIRT8Z-T
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 8-WDFN 裸露焊盤 IC XDCP 128-TAP 50KOHM 8-TDFN
CV500-BSC41
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BASIC MOD EEPROM 2-232 1-PAR.
IXFP180N10T2
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
ISL88002IH23Z-T7A
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.32V SOT23-3

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