IRFD22 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFD220詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：800mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 480mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

包裝：管件

IRFD220PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：800mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 480mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

包裝：管件

IRFD224詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：630mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 380mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

包裝：管件

IRFD224PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：630mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 380mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

包裝：管件

• IRFD220PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    4-DIP（0.300"，7.62mm）    MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP

• IRFR3707ZTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

• IPU103N08N3 G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

• ISL8483CPZ

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC TXRX RS-485/422 5V 8-PDIP

• KB15NKW01-5F-JD

  按鈕    NKK Switches        SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V

• K472M20X7RL5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 4700PF 500V X7R RADIAL

• LM3S5651-IBZ80-C5T

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    108-LFBGA    IC ARM CORTEX MCU 128KB 108NFBGA

• ISO7241CDW

  數(shù)字隔離器    Texas Instruments    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC QUAD DGTL ISOL 25MBPS 16-SOIC

• IPUH6N03LA G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

• ISL8483EIB

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX RS-485/422 ESD 8-SOIC

• LM3S5651-IQC80-C0

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    100-LQFP    IC ARM CORTEX MCU 128KB 100-LQFP

• K473K10X7RF53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL

• KB15RKW01-05-JC

  按鈕    NKK Switches        SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V

• ISO7242ADW

  數(shù)字隔離器    Texas Instruments    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC QUAD DGTL ISOL 1MBPS 16-SOIC

• IPW50R250CP

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 500V 13A TO-247