IRFD9110詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:700mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 420mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
- 包裝:管件
IRFD9110PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:700mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 420mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:200pF @ 25V
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
- 供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
- 包裝:管件
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TRANSCEIVER RS-485/422 ESD 8SOIC
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LQFP IC ARM CORTEX MCU 128KB 100LQFP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 53A TO247
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil * IC LINEAR
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments IC ARM CORTEX MCU 64KB 100LQFP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
- 數(shù)字隔離器 Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) ISOLAT DGTL 3KVRMS 4CH 16-SOIC