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IRFR3504PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3504TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3504TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3504TRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 30A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

K331K10X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
K471K15C0GK53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 200V 10% RADIAL
K822M10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 100V 20% RADIAL
JMK107BJ475MA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0603
IRFR3418TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
K331K10X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
LBM2016T180J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 18UH 5% 0806
K471K15C0GK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 200V 10% RADIAL
JMK107BJ475MK-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0603
K331K10X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
K471K15X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
LBM2016T1R0J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 1.0UH 385MA 0806
JMK212AB7106KG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X7R 0805
K822M15X7RH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 100V 20% RADIAL
IRFR3504Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

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