IRFR3711TRR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR3711TRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR3711TRRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 10V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div CURRENT TRANSFORMER 20-200A
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
- 固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.18UH 5% 0806
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 6.3V 20% X5R 1206
- 加熱元件檢測器 Omron Electronics Inc-IA Div HEATER BURNOUT DETECTOR 20-200A
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V 10% RADIAL
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
- 固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND .22UH 520MA 0806
- 加熱元件檢測器 Omron Electronics Inc-IA Div HEATER BURNOUT DETECTOR 20-200A
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
- 固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.27UH 5% 0806
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 390PF 100V X7R RADIAL
171-4729-0036 
