

IRFR3910CPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR3910PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR3910TRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR3910TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR3910TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR3910TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 10A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 25V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
- 評估演示板和套件 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) EVALUATION BOARD FOR ISL58111CRZ
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
- 配件 NKK Switches BOARD LOGIC 2COMPACT RGB SW SOCK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
- 配件 OKI/Metcal 6-SMD,無引線 HEATING ELEMENT REPLCMT FOR 110V
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220AB
- 評估演示板和套件 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 BOARD EVAL FOR ISL58129
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 LENS 8MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X
- 配件 OKI/Metcal 6-SMD,無引線 HEATING ELEMENT REPLCMT FOR 230V
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT FAST 600V 16A TO-220-3
- RF 其它 IC 和模塊 Intersil 48-LQFP IC DAC 12BIT CMOS DUAL 48LQFP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 LENS 8MM