IRFR4104TR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR4104TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR4104TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223
- 標記 Panduit Corp 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MKR WIRE CLIP ON B/W 60 PC
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-204AC,DO-15,軸向 SIDACTOR BI 120V 50A DO15
- 振蕩器 NDK 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSCILLATOR 7.600000 MHZ 3V SMD
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 21POS
- D-Sub Tripp Lite CABLE EXTENSION SVGA HD15M/F 50’
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 20V 5.1A SOT-89
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 23CIRC 9.50MM
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDACTOR BI 120V 150A DO214
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-923 DIODE ZENER 2.53V 200MW SOD923
- D-Sub Tripp Lite CABLE EXTENSION SVGA HD15M/F 75’
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 21POS
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 9.50MM
- 標記 Panduit Corp 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) MKR WIRE CLIP ON B/W 60 PC