IRFR9220TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9220TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9220TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9220TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFR9220TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR9220TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 配件 Carling Technologies 8-XFBGA CONN 12POS
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 324-LBGA IC FPGA 2.28KLUTS 324FTBGA
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 IC REG LDO 5V .1A TO-92
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
- 配件 Carling Technologies 8-XFBGA CONN 12POS
- 固定式 Kemet 0603（1608 公制） INDUCTOR HI FREQ 47NH 5% 0603
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC PLD 2280LUTS 113I/O 144-TQFP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .5A DPAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 配件 Carling Technologies 8-XFBGA CONN 12POS
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
0755-82574045 
0755-23914006 
