IRL1404ZS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL1404ZSPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL1404ZSTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：230W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRL1404ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRL1404ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRL1404ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1500PF 500V X7R RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- 振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 49.1520MHZ 3.3V SMD
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 180UF 400V 20% RADIAL
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 4CH 10K 20TSSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 10000PF 25V RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 50V 5% RADIAL
- 振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 49.1520MHZ 3.3V SMD
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 256POS 50K 10TQFN
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 180UF 400V 20% RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EXTEND
- LED- 高亮度電源模塊 Dialight 1812（4532 公制） POWERWHITE MODULE LV NW OVAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 50V 10% RADIAL
0755-88917652 
