IRL510詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL510A詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：440 毫歐 @ 2.8A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V
- 功率_最大：37W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝：TO-220
- 包裝：管件
IRL510L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設(shè)備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRL510PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：43W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL510S詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL510SPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設(shè)備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT 256POS 10K 20TSSOP
- 數(shù)據(jù)采集 - 觸摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC SENSOR TCH PURETOUCH 28SSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
- 其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 250MCM 600V AL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 5-VFBGA IC REG LDO 3.1V .15A 5MICROSMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC AMP LV LP 12MHZ 14-TSSOP
- 薄膜 Nichicon 矩形接線盒 CAP FILM 4UF 250VAC QC TERM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP DUAL R-R PREC 8-SOIC
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OPAMP GP R-R 5MHZ SGL SOT23-5
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 5-VFBGA IC REG LDO 5V .15A 5USMD
- 薄膜 Nichicon 矩形接線盒 CAP FILM 5UF 250VAC QC TERM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP SGL LOW NOISE 8SOIC
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT QUAD 10K 20TSSOP
- 其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 600V 4/0 AL
0755-82574045 
0755-23919407 
