IRL530NL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:17A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:800pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 220 OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 21.5 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 5.6UH 6.0A SMD
- 網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 220 OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 220K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 6800UH 0.19A SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK