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IRLR7821TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRLR7821TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：65A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V; 功率_最大：75W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR7821TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：65A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V; 功率_最大：75W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR7821TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：65A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V; 功率_最大：75W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR7821TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：65A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V; 功率_最大：75W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR7821TRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：65A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V; 功率_最大：75W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

HFBR-RUD100Z
光纖 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL DUPLEX 1=100M
IRLR7821TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
JR4N1-CL1-1F
同軸，RF Digi International CABLE RPSMA MALE TO N-MALE 1FT
IRF7353D2TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
FQA11N90_F109
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
CY7C199D-10ZXI
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
FWPQ-450A
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 螺栓安裝 FUSE 450A 700V BOLT-ON
IRF7379QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
HFBR-RUD500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 500M
FQA11N90C
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
IRFZ44N,127
FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
CY7C199D-10ZXIT
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP
FWS-2A20F
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE 2A 2100V 20X127MM IEC
IRF7379TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
JRC16BR-10S(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN RECEPT 10 POS SOCKET SILVER