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IRLR8103VTRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR8103VTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR8103VTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR8103VTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR8103VTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR8103VTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：91A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V; 功率_最大：115W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7389PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
JRC25WRC(71)
圓形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd JR 25 SERIES DUST CAP W/O CHAIN
IRLR8103VTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
HFBR-RUS500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 500M
FQA65N20
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
IRFZ46NSTRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
CY7C2265KV18-550BZXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 550MHZ 165FBGA
FWX-1200AH
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標準 FUSE 1200A 250V
JRW040A0A1-P
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊，1/2 磚 CONVERTER DC/DC 5V 200W OUT T/H
HFBR-RUS500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST SIMPLEX 500M
IRFZ46NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
FQA70N10
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
CY7C2268KV18-550BZC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 2MX18 1.8V SYNC 165-FBGA
FWX-150A
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 150A 250V HS BOLT-ON
JRW060A0F
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊，1/2 磚 CONVERTR DC/DC 3.3V 198W OUT T/H

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