IXT-1-1N100S1 全國供應商、價格、PDF資料
IXT-1-1N100S1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC
- 供應商設備封裝:8-SOIC
- 包裝:管件
IXT-1-1N100S1-TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC
- 供應商設備封裝:8-SOIC
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.6PF 100V NP0 0603
- FET - 單 IXYS 8-SOIC MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC CURRENT REGULATOR DPAK
- 配件 Cypress Semiconductor Corp PSOC EMU POD FEET FOR 28-DIP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 82PF 50V 5% R2H 0603
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 32-BSOJ IC SRAM 4MBIT 12NS 32SOJ
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.6PF 100V NP0 0603
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 82PF 50V 5% R2H 0603
- 配件 Cypress Semiconductor Corp PSOC EMU POD FEET FOR 28-DIP
- PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC CURRENT REGULATOR DPAK
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 48-TFBGA IC SRAM 8MBIT 10NS 48LFBGA
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK