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ZXMP6A18DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMP6A18DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ZXMP6A18DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMP6A18KTC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：2.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

ZXMP6A18KTC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：2.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMP6A18KTC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1580pF @ 30V; 功率_最大：2.15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

VI-25Y-IX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
VI-J5D-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
TNPW20102K61BEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 2.61K OHM .40W 0.1% 2010
ZXMP6A18KTC
FET - 單 Diodes Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CHAN 60V DPAK
VJ1812Y183JBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 0.018UF 50V 5% X7R 1812
ZXLD383ET5TA
PMIC - LED 驅(qū)動(dòng)器 Diodes Inc SOT-23-5 細(xì)型，TSOT-23-5 IC LED DRIVR WHITE BCKLGT TSOT-5
VJ1808Y183JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 0.018UF 630V 5% X7R 1808
TNPW2010301KBETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 301K OHM .40W 0.1% 2010
VI-J5D-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
ZX-LD40L
其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HEAD RFLECTV LINE BEAM 40MM
VJ1812Y183JBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 0.018UF 200V 5% X7R 1812
VJ1808Y183KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 0.018UF 1KV 10% X7R 1808
TNPW2010301RBEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 301 OHM .40W 0.1% 2010
VI-J5D-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
VI-25Y-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W

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