JXP3400MRG

• 發(fā)布時(shí)間：2025/4/9 9:27:13
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市鑫順祥科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：吳先生
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JXP3400MRG屬性

JXP3400MRG描述

JXP3400MRG 是靖芯公司生產(chǎn)的一款 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，以下是其詳細(xì)介紹：
產(chǎn)品特點(diǎn)
電壓與電流：漏源電壓 VDS 為 30V，連續(xù)漏極電流 ID 為 5.2A。
導(dǎo)通電阻：在柵源電壓 VGS 為 2.5V 時(shí)，RDS (ON)(Typ.) 為 33mΩ；當(dāng) VGS 為 4.5V 時(shí)，RDS (ON)(Typ.) 為 26mΩ；當(dāng) VGS 為 10V 時(shí)，RDS (ON)(Typ.) 為 21mΩ。
其他特性：采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具備低柵極電荷和高密度單元設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻；擁有高功率和電流處理能力；存儲(chǔ)溫度范圍為 - 55℃至 + 150℃；封裝形式為 SOT-23-3L。
電氣特性
擊穿電壓：漏源擊穿電壓 BV 為 30V。
漏電電流：零柵壓漏極電流 IDSS 最大值為 1μA，柵極體漏電流 IGSS 最大值為 ±100nA。
閾值電壓：柵極閾值電壓 VGS (th) 典型值為 0.8V。
跨導(dǎo)：正向跨導(dǎo) gfs 典型值為 33S。
電容特性：輸入電容 CISS 約為 597pF，輸出電容 COSS 約為 66pF，反向傳輸電容 CRSS 約為 59pF。
開(kāi)關(guān)特性：上升時(shí)間 tr 典型值為 2.5ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 tD (OFF) 典型值為 25ns，下降時(shí)間 tf 典型值為 4ns。
柵極電荷：總柵極電荷 Qg 約為 9.1nC，柵源電荷 Qgs 約為 2.1nC，柵漏電荷 Qgd 約為 2.8nC。
二極管特性：二極管正向電壓 VSD 典型值為 0.72V。
應(yīng)用領(lǐng)域：與 JXP3400VRG 類似，JXP3400MRG 適用于 PWM 應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景，可在各種需要高效電源管理的電路中發(fā)揮作用，如在便攜式電子設(shè)備、工業(yè)控制電路、汽車電子等領(lǐng)域的電源管理模塊中，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制和高效功率轉(zhuǎn)換。

JXP3400MRG相關(guān)產(chǎn)品

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JXP3400VRG 是靖芯公司生產(chǎn)的一款 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，以下將從其產(chǎn)品特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等維度展開(kāi)介紹：  產(chǎn)品特點(diǎn) 

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