BC549C 全國供應商、價格、PDF資料

BC549C詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC549C詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：500mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC549C,112詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：500mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：管件

BC549C_J35Z詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN EPTXL 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：500mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC549CBU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：500mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC549CG詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 30V 100MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

• BD5231G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS N-CH 3.1V SSOP5 TR

• BK/GMC-V-630-R

  保險絲    Cooper Bussmann    5mm x 20mm（軸向）    FUSE .63A 250V AXL GLASS UL CSA

• BEI15-050-Q48N-C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    6-DIP 模塊    CONV DC/DC DL OUT +/-5V NEG POL

• BC549C

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3 標準主體     TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92

• B8J400

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR POWER 400 OHM 8W 5%

• BCM847DS,115

  晶體管(BJT) - 陣列    NXP Semiconductors    SC-74，SOT-457    TRANS NPN/NPN 45V 100MA 6TSOP

• B81141C1684M

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 0.68UF 1KVDC RADIAL

• C1210C682F5GACTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 6800PF 50V 1% NP0 1210

• BD5232G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC DETECTOR VOLT 3.2V ODRN 5SSOP

• BEI15-050-Q48P-C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    6-DIP 模塊    CONV DC/DC DL OUT +/-5V POS POL

• B8J4K0E

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR POWER 4.0K OHM 8W 5%

• BCM857BV,315

  晶體管(BJT) - 陣列    NXP Semiconductors    SOT-563，SOT-666    TRANS PNP DBL 45V 100MA SOT-666

• C1210C682F5GALTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 6800PF 50V 1% NP0 1210

• B82111BC12

  固定式    EPCOS Inc        VHF-CHOKE 6UH 4 A

• BEI15-120-Q48N-C

  DC DC Converters    Murata Power Solutions Inc    6-DIP 模塊    CONV DC/DC DL OUT +/-12V NEG POL