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BSO200N03詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 7.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 13µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO200N03詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 7.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 13µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO200N03詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 7.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 13µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1010pF @ 15V; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO200N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO200N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO200N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.5nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

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BSO200N03
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8
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固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 3.3UH .80A 20% SMD
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FET - 單 Diodes Inc * MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
CMF55324K00FKEA
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 324K OHM 1/2W 1% AXIAL
D38999/20MH55SE-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 55POS SKT
ECA49DTKI-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS .125 EXTEND
D38999/20FJ61JE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
DMP22D6UT-7
FET - 單 Diodes Inc SOT-523 MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523
BRL1608T100M
固定式 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） INDUCTR 10UH 220MA 20% 0603 SMD

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