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BSZ0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V S308; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 15V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V S308; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 15V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V S308; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 15V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BK0012
配件 Microchip Technology DATA BEGIN PROGR PIC24/DSPIC33
7196
手柄 Keystone Electronics HANDLE CONTEMPORARY CHROME PLATE
BLC120J112B4D
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 - 4 引線 CAP FILM 12UF 1.1KVDC RADIAL
BSZ0901NS
FET - 單 Infineon Technologies 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V S308
BR24C01-WDW6TP
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP
73S8014R-DB
評(píng)估演示板和套件 Maxim Integrated 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） BOARD DEMO 73S8010R 20-SOIC
BK/9789-1/2
配件 Cooper Bussmann 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） REPLACEMENT KNOB FOR HPM
B41605A5129M2
電容器 EPCOS Inc SNAP IN 12000UF 25V
71974
螺釘和螺母驅(qū)動(dòng)器 - 刀片和位 Wiha BIT PK HEX INSERT 9/64" 2/PK
73S8024RN-IMR/F
接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-VFQFN 裸露焊盤 IC SMART CARD INTERFACE 32SOIC
BR24C02-RDW6TP
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8TSSOP
BLC120J901B4A
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 - 4 引線 CAP FILM 12UF 900VDC RADIAL
BK/9789-1/2
配件 Cooper Bussmann 徑向 - 4 引線 REPLACEMENT KNOB FOR HPM
B41605A5189M2
電容器 EPCOS Inc SNAP IN 18000UF 25V
71978-150LF
矩形- 接頭，公引腳 FCI EURO QKE HDR RA DPWL RLG

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