DS1220AB-200 全國供應商、價格、PDF資料
DS1220AB-200+詳細規(guī)格
- 類別：存儲器
- 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列：-
- 制造商：Maxim Integrated
- 格式_存儲器：RAM
- 存儲器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）
- 存儲容量：16K (2K x 8)
- 速度：200ns
- 接口：并聯(lián)
- 電壓_電源：4.75 V ~ 5.25 V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C
- 封裝/外殼：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
- 供應商器件封裝：24-EDIP
- 包裝：管件
DS1220AB-200IND詳細規(guī)格
- 類別：存儲器
- 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列：-
- 制造商：Maxim Integrated
- 格式_存儲器：RAM
- 存儲器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）
- 存儲容量：16K (2K x 8)
- 速度：200ns
- 接口：并聯(lián)
- 電壓_電源：4.75 V ~ 5.25 V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
- 供應商器件封裝：24-EDIP
- 包裝：管件
DS1220AB-200IND+詳細規(guī)格
- 類別：存儲器
- 描述：IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列：-
- 制造商：Maxim Integrated
- 格式_存儲器：RAM
- 存儲器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）
- 存儲容量：16K (2K x 8)
- 速度：200ns
- 接口：并聯(lián)
- 電壓_電源：4.75 V ~ 5.25 V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C
- 封裝/外殼：24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
- 供應商器件封裝：24-EDIP
- 包裝：管件
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 39UH 1.8A SMD
- 電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 400V 20% SNAP
- 存儲器 Maxim Integrated 24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 4700UH 0.14A SMD
- 二極管，整流器 - 陣列 IXYS TO-3P-3 整包 DIODE ARRAY 1200V 28A TO247AD
- 通孔電阻器 TT Electronics/IRC 軸向 RES THICK FLM 330 OHM 3W 1% AXL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.39UF 50V 10% X7R 1206
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
- 通孔電阻器 TT Electronics/IRC 軸向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL
0755-83291010 
0755-83222787 
