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FCD5N60TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCD5N60TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FCD5N60TM詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCD5N60TM_WS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCD5N60TM_WS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FCD5N60TM_WS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCD121250TP
保險絲 Littelfuse Inc 1206（3216 公制） FUSE FAST-ACT 2.50A 50V 1206 SMD
CMF50576K00FKR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 576K OHM 1/4W 1% AXIAL
GB15JVF
按鈕 NKK Switches 0404（1010 公制） SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
GCA14DTAT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS R/A .125 SLD
GBJ2508-G
橋式整流器 Comchip Technology GBJ RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBJ
CMF5510K700BEEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
GRM0336T1E130GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 2% T2H 0201
FCD4N60TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
GCA14DTKI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS DIP .125 SLD
CMF5510K700BHR6
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.7K OHM 1/2W .1% AXIAL
GBJ2508-G-06
橋式整流器 Comchip Technology GBJ RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBJ
GRM0336T1E130GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 2% T2H 0201
GCA14DTKI-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND
GB215AB
按鈕 NKK Switches 0404（1010 公制） SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V
CMF5510K700FKEA
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10.7K OHM 1/2W 1% AXIAL

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