FDB3652 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

FDB3652詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB

包裝：剪切帶 (CT)

FDB3652詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB

包裝：Digi-Reel®

FDB3652詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB

包裝：帶卷 (TR)

FDB3652_F085詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• MAX313EUE+

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    Maxim Integrated    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

• LM4040A25IDBZT

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT23-3

• FDB3652

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

• MCP4131-502E/MS

  數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器    Microchip Technology    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8MSOP

• MAL211816471E3

  電容器    Vishay BC Components    軸向，CAN    CAP ALUM 470UF 25V 20% AXIAL

• MCR18EZHFL1R80

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 1.80 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MCR100JZHFL3R00

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    2512（6432 公制）    RES 3.00 OHM 1W 1% 2512 SMD

• LM4040A25IDCKR

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    IC VREF SHUNT PREC 2.5V SC-70-5

• MAX3441EESA+T

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX RS-485 8-SOIC

• MCP4131-503E/P

  數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器    Microchip Technology    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DIP

• LM4040A30IDBZT

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC 3V SOT23-3

• MAL211817152E3

  電容器    Vishay BC Components    軸向，CAN    CAP ALUM 1500UF 40V 20% AXIAL

• MCR100JZHFL5R60

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    2512（6432 公制）    RES 5.60 OHM 1W 1% 2512 SMD

• MCR18EZHFL6R20

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 6.20 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MAX3442EAPA+

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Maxim Integrated    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC TXRX RS-485 250KBPS 8-DIP