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FDS6676AS 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDS6676AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 14.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2510pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

FDS6676AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 14.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2510pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

FDS6676AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 14.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2510pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IPW65R110CFD

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• GJM0335C1E5R1CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• IRFU9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

• H48-6G-100-100-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X3MM

• IPW65R190E6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK