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H48-6G-100-100-3.0-0 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

H48-6G-100-100-3.0-0詳細(xì)規(guī)格

類別：熱 - 墊，片

描述：H48-6 SHEET 100X100X3MM

系列：H48-6G

制造商：t-Global Technology

應(yīng)用：片狀

形狀：方形

外形：100.00mm x 100.00mm

厚度：0.120"（3.05mm）

材料：硅質(zhì)

粘合劑：-

底布qqq載體：-

顏色：灰

熱阻率：-

導(dǎo)熱率：6.0 W/m-K

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK

• FDS6676AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E5R1CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• IPW65R190E6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

• FDS6680AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

• ISC1812ES331K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330UH 10% 1812

• GJM0335C1E5R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201

• IRFW630BTM_FP001

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK