FDS6682 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FDS6682詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 14A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2310pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• IRFU9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

• H48-6G-100-100-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X3MM

• IPW65R190E6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

• FDS6680AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

• ISC1812ES331K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330UH 10% 1812

• GJM0335C1E5R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201

• IRFW630BTM_FP001

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

• H48-6G-150-150-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X1MM

• IRFZ14STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

• ISC1812ESR12K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 120NH 10% 1812

• GJM0335C1E5R3BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201

• IRFZ14STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

• H48-6G-150-150-5.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X5MM

• IQ82C55A96

  接口 - I/O 擴(kuò)展器    Intersil    44-QFP    IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP