FQA62N25 全國供應商、價格、PDF資料

FQA62N25C詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 31A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6280pF @ 25V

功率_最大：298W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應商設備封裝：TO-3PN

包裝：管件

• FK16Y5V1A226Z

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22UF 10V RADIAL

• ESR10EZPF10R0

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 10.0 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA6L4C0G2J562J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210

• CGA3E2C0G2A681J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603

• FQA5N90

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P

• FK16Y5V1A226Z

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 22UF 10V RADIAL

• CGJ5L2X7R1A685K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 6.8UF 10V 10% X7R 1206

• ESR10EZPF1101

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.10K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2C0G2A821J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 820PF 100V 5% NP0 0603

• CGJ5L2X7R2A104K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206

• FK1840003

  振蕩器    Pericom    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 18.432MHZ 3.3V SMD

• ESR10EZPF1200

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 120 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2X7R1C224K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603

• FQA6N80

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

• CGA6M2C0G2A333J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 0.033UF 100V 5% NP0 1210