FQB6N40C 全國供應商、價格、PDF資料

FQB6N40CTM詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：400V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V

功率_最大：73W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D²PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CGRC307-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 3A 1000V DO-214AB

• ESR10EZPJ155

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.5M OHM 1/4W 5% 0805 SMD

• CGA3E2X8R1H153K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.015UF 50V 10% X8R 0603

• CGA8L3C0G2E223J

  陶瓷    TDK Corporation    1812（4532 公制）    CAP CER 0.022UF 250V 5% NP0 1812

• FK18X7R1H683K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.068UF 50V 10% RADIAL

• FQB5N40TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK

• CGRC501-G

  單二極管/整流器    Comchip Technology    DO-214AB，SMC    DIODE GEN PURP 5A 50V DO-214AB

• CGA3E2X8R1H153K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.015UF 50V 10% X8R 0603

• FK18X7R2A222K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL

• CGA3E2X8R1H223K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 0.022UF 50V 10% X8R 0603

• ERJ-S6QJR27V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES ANTI-SULFUR 0.27 OHM 5% 0805

• FQB6N50TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK

• FK18Y5V0J475Z

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 4.7UF 6.3V RADIAL

• CGA3E2X8R1H332K

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 3300PF 50V 10% X8R 0603

• FQB7P20TM

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK