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IDT70V631S12BC8 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT70V631S12BC8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步

存儲容量：4.5M（256K x 18）

速度：12ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：256-LBGA

供應(yīng)商器件封裝：256-CABGA（17x17）

包裝：帶卷 (TR)

• LGY2E471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 250V 20% SNAP

• DS1210S/T&R

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC CONTROLLER CHIP NV 16-SOIC

• IDT70V631S12BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• DSP1-L2-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• IHSM5832ER470L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 47UH 1.77A SMD

• GRM31MR71C684KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.68UF 16V 10% X7R 1206

• IMC1812EBR33M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330NH 20% 1812

• GS2986-INE3

  線性 - 視頻處理    Semtech    40-VFQFN 裸露焊盤    IC SDI RECLOCKER SMPTE 40QFN

• LGY2F101MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 100UF 315V 20% SNAP

• GRM31MR71E105MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206

• DSP1-L-DC3V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 3V

• IHSM5832ER471L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 470UH .49A SMD

• IMC1812EBR39J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390NH 5% 1812

• GS-3-100-1001-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 1K OHM 3W 1% AXL

• LGY2F181MELZ

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 180UF 315V 20% SNAP