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庫存索引1
» 型號"LGY2F181MELZ"的供應(yīng)信息
LGY2F181MELZ 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
型號:
廠商:
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封裝:
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LGY2F181MELZ詳細(xì)規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 180UF 315V 20% SNAP
系列:GY
制造商:Nichicon
電容:180µF
額定電壓:315V
容差:±20%
壽命0a0溫度:105°C 時為 7000 小時
工作溫度:-25°C ~ 105°C
特點:通用
紋波電流:900mA
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
阻抗:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:0.866" 直徑(22.00mm)
高度_座高(最大):1.654"(42.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
LGY2F181MELZ供應(yīng)商
LGY2F181MELZ
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
LGY2F181MELZ
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGY2F181MELZ
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多LGY2F181MELZ的供應(yīng)商
IMC1812EBR33M
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 330NH 20% 1812
GS2986-INE3
線性 - 視頻處理 Semtech 40-VFQFN 裸露焊盤 IC SDI RECLOCKER SMPTE 40QFN
LGY2F101MELZ
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 315V 20% SNAP
DS1211N+
存儲器 - 控制器 Maxim Integrated 20-DIP(0.300",7.62mm) IC CONTROLLER 8-CHIP NV 20-DIP
IDT70V631S12BC8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA
GRM31MR71E105MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206
DSP1-L-DC3V
功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 2-SMD RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 3V
IHSM5832ER471L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 470UH .49A SMD
IMC1812EBR39J
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 390NH 5% 1812
DS1212
存儲器 - 控制器 Maxim Integrated 28-DIP(0.600",15.24mm) IC CONTROLLER NV 16-CHIP 28-DIP
GRM31MR71E155KA88L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1.5UF 25V 10% X7R 1206
IDT70V631S12BCI8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA
IHSM5832ER472L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 4700UH .14A SMD
DSP1N5D7
DC DC Converters Power-One 5-SIP 模塊 CONV DC-DC 1W +7/-7V OUT
GS-3-100-10R0-F-LF
通孔電阻器 TT Electronics/IRC 軸向 RES THICK FLM 10.0 OHM 3W 1% AXL
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