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IRF1010EZS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF1010EZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010EZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010EZSTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1010EZSTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1010EZSTRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

LD025C561JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 560PF 50V 5% X7R 0402
ECW-H12912HVB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 9100PF 1.25KVDC RADIAL
IRF1010EZS
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
LCBG-1.5-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK 1.825"L
JPM26B-H
按鈕 NKK Switches 9-DIP 模塊，1/2 磚 SWITCH PUSH DPST 10A 125V
ECW-U2154KCV
薄膜 Panasonic Electronic Components 2825（7163 公制） CAP FILM 0.15UF 250VDC 2825
K561K15X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 100V X7R RADIAL
LP3981ILD-2.7/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.7V .3A 6LLP
ECW-H12912RHV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 9100PF 1.25KVDC RADIAL
LCBG-1.5-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK 1.825"L
JQ1-48V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 48V
ECW-U2154KCV
薄膜 Panasonic Electronic Components 2825（7163 公制） CAP FILM 0.15UF 250VDC 2825
LP3981ILD-2.83/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.83V .3A 6LLP
K561K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
ECW-H12913JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.091UF 1.25KVDC RADIAL