IRF1010ZS 全國供應商、價格、PDF資料

IRF1010ZS詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF1010ZSPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF1010ZSTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF1010ZSTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：*

制造商：International Rectifier

FET型：

FET特點：

漏極至源極電壓333Vdss444：

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id時的Vgs333th444（最大）：

閘電荷333Qg4440a0Vgs：

輸入電容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安裝類型：

封裝/外殼：

供應商設備封裝：

包裝：

IRF1010ZSTRLPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：*

制造商：International Rectifier

FET型：

FET特點：

漏極至源極電壓333Vdss444：

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：

Id時的Vgs333th444（最大）：

閘電荷333Qg4440a0Vgs：

輸入電容333Ciss4440a0Vds：

功率_最大：

安裝類型：

封裝/外殼：

供應商設備封裝：

包裝：

IRF1010ZSTRRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CRCW251216K2FKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 16.2K OHM 1W 1% 2512 SMD

• F70021 BK132

  熱縮管    Alpha Wire    5-SMD，無引線    FIT-700 HEAT SHRINK TUBING 1=6’

• IMC1812ES221J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 220UH 5% 1812

• IRF1010ZS

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

• EYG-S182307DP

  熱 - 墊，片    Panasonic Electronic Components        PGS SHEET 100X230MM

• FAD1-08032DBHW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 80.5X32MM 24VDC BALL WIRE

• F720G107KRC

  鉭    Nichicon    2824（7260 公制）    CAP TANT 100UF 4V 10% 2824

• CRCW251216K5FKEGHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 16.5K OHM 1.5W 1% 2512 SMD

• FAD1-08032EBHW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 80.5X32MM 48VDC BALL WIRE

• F720G227KRC

  鉭    Nichicon    2824（7260 公制）    CAP TANT 220UF 4V 10% 2824

• EYG-S182310DP

  熱 - 墊，片    Panasonic Electronic Components        PGS SHEET 180X230MM

• FAD1-08038CBMW12

  風扇 - DC    Qualtek        FAN 80.5X38MM BALL 12VDC WIRE

• F720G227MRC

  鉭    Nichicon    2824（7260 公制）    CAP TANT 220UF 4V 20% 2824

• CRCW251216K5FKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 16.5K OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF1018ESPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK