IRF3707詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3707L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3707LPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3707PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3707S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3707SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:62A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 15V
- 功率_最大:87W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
- 脈沖 Pulse Electronics Corporation 模塊,連接器 XFRMR LAN ISOL 10BASE-T 1:2 SMD
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB IGBT N-CHAN 600V 16A D2PAK
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC TRANSCEIVER 8-MSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3S-B VERT SENSOR
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC REG LDO 2.5V .15A SC70-5
- 背板 - 專用 FCI 徑向 - 4 引線 10POS LOADED HM1C
- FET - 單 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT N-CH W/DIO 600V 19A TO220AB
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC TRANSCEIVER 14-SOIC
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.8V .15A 6-UTDFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-42/44 VERT
- FET - 單 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
- 背板 - 專用 FCI 徑向 - 4 引線 10POS LOADED HM1C