IRF520NS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF520NSTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF520NSTRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.1PF 50V S2H 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MB SYNC 100-TQFP
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1000 MHZ 3.3V LVDS SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 23DEG
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.2PF 50V S2H 0402
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.351648 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP
- FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 60A TO268
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.3PF 50V S2H 0402
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
0755-22655674 
