IRF6611詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6611詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6611TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6611TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6611TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6611TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX
- 供應商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX
- 包裝：Digi-Reel®
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 2% T2H 0402
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 155.52 MHZ 3.3V PECL SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 57.5491 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 100M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 16PF 50V 5% T2H 0402
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER 3-PHASE 44-PLCC
- 光纖 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL SIMPLEX 1=100M
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 224 MHZ 3.3V PECL SMD
- 振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 58.9824 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.2PF 50V T2H 0402
010-62962871、 
0755-23919407 
