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IRF7342詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7342D2PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7342D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7342D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7342D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7342PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

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IRF7342
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
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FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER T-OUT 1MBD 8DIP WIDE
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048Y/H1504TR10"
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