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IRF7807A詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807APBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807ATR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807ATRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7807ATRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807ATRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7807A
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
ISL9000IRGCZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.7V/1.8V .3A 10-DFN
HF50ACC321611-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206
HILP-04V-2-R
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 徑向，圓盤 CONN PLUG HOUSING 4POS RED
CWX815-1.8432M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1.8432MHZ 5.0V +-25PPM SMD
CZRER52C22
單二極管/齊納 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 22V 150MW 0503
FSCM0565RJX
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB IC SWIT PWM GREEN CM HV D2PAK
GRM1857U1H472JA44D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4700PF 50V 5% U2J 0603
HF50ACC575018-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 2220（5750 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3.0A 2220
HILR-02VF-2-R
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 徑向，圓盤 CONN RECEPT HOUSING 2POS RED
CWX815-15.36M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 15.3600MHZ 5.0V +-25PPM SMD
CZRER52C24
單二極管/齊納 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 24V 150MW 0503
GRM185C80G225KE26D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 4V 10% X6S 0603
FSCM0765RJX
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB IC SWIT PWM GREEN CM HV D2PAK
ISL9000IRJMZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/3V .3A 10-DFN