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IRF9520詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9520L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 4.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：390pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9520NL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9520NLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF9520NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9520NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

GRM1885C1H242JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2400PF 50V 5% NP0 0603
FSK-S5-24U
AC DC 轉換器 CUI Inc CONVERTER AC-DC 24V 0.21A 5W
HIP4083AB
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HISIDE N-CH 3PH 16SOIC
IRF9520
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
IPD30N03S4L-14
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IXTP10N60P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
CX0805MRX7R9BB223
陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 50V 20% X7R 0805
GRM1885C1H270JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 27PF 50V 5% NP0 0603
FSK-S5-3R3U
AC DC 轉換器 CUI Inc CONVERTR AC-DC 3.3V 1.25A 4.125W
HIP4086AABZT
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DVR MOSFET N-CH 3PHASE 24SOIC
IXTP10P50P
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
IPD320N20N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
CX0805MRX7R9BB393
陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.039UF 50V 20% X7R 0805
ISL9012IRKJZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/2.8V 10-DFN
FSL116HR
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC FPS SWITCH PWM/SENSEFET 8MDIP

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