IRFBE30S 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFBE30S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBE30SPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBE30STRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFBE30STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFBE30STRR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：800V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 2.5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• K391K15X7RL53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 390PF 500V X7R RADIAL

• ECW-F6913HL

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.091UF 630VDC RADIAL

• IRFBE30STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

• KTK-15

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    5AG，10mm x 38.1mm    FUSE 15A 600VAC FAST KTK

• LMH0044SQE

  接口 - 專用    Texas Instruments    *    IC ADAPTIVE CBL EQUALIZER 16-LLP

• K272K15X7RH5UL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 2700PF 100V X7R RADIAL

• K332M15X7RF5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3300PF 50V X7R RADIAL

• LMP90079MHE/NOPB

  數(shù)據(jù)采集 - 模擬前端 (AFE)    Texas Instruments    28-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC AFE 16BIT 214.6SPS 28-TSSOP

• K391K15X7RL5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 390PF 500V X7R RADIAL

• KTK-4

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    5AG，10mm x 38.1mm    FUSE 4A 600VAC FAST KTK

• K272K20C0GF5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 2700PF 50V 10% RADIAL

• LMH0046MH

  接口 - 專用    Texas Instruments    *    IC SDI RECLOCKER HD/SD 20-TSSOP

• K332M15X7RH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 3300PF 100V X7R RADIAL

• LMP91002SD/NOPB

  數(shù)據(jù)采集 - 模擬前端 (AFE)    Texas Instruments    14-WFDFN 裸露焊盤    IC AFE INTERFACE 14LLP

• IRFBF20

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB