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IRFP460詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD; 系列：MegaMOS™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AD; 包裝：管件

IRFP460詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247; 系列：PowerMESH™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2980pF @ 25V; 功率_最大：220W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP460詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 25V; 功率_最大：280W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP460A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V; 功率_最大：280W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP460APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V; 功率_最大：280W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP460C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V; 功率_最大：235W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3PN; 包裝：管件

GQ2660-9R
DC DC Converters Power-One 模塊 EURO-CASSETTE 106W 2X 24V
H3BXT-10110-G6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049G/X 10"
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS R/A .156 SLD
IRFP460
FET - 單 IXYS TO-3P-3 整包 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
IRLU7843PBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
G79-Y500C
配件 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY BLK TRM CBL 5M
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015L/X 10"
GQM1875C2E110JB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 11PF 250V 5% NP0 0603
H5BXT-10108-N7-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065N/X 8"
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049R/X 10"
G7J-2A2B-T-W1 AC200/240
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 240V
IRLW510ATM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
H5BXT-10108-R9-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064R/X 8"
GQM1875C2E120GB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 12PF 250V 2% NP0 0603
H3BXT-10110-W8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048W/X 10"

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